S8050
$7.00
50 en stock
Sin impuestos
Características:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
IC: 500 mA
PD: 625 mW
VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
hFE: 160 a 300 (Ranking D)
FT: 150 MHz mínimo
VCE(sat): 0.6 V max.
Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull
Encapsulado: TO-92
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IC: 500 mA
PD: 625 mW
VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
hFE: 160 a 300 (Ranking D)
FT: 150 MHz mínimo
VCE(sat): 0.6 V max.
Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull
Encapsulado: TO-92