IRF9540N
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MOSFET de potencia Canal P 23A 100V
Ideal para aplicaciones que requieren de conmutación rápida, en diseño de dispositivos de uso rudo. Brinda una baja resistencia y una excelente relación costo-efectividad.
Tipo: MOSFET Canal P
Voltaje de drenaje a fuente: 100 V
Resistencia de activación Rds: 0.117 ohm
Voltaje de impulso: 10V
Corriente de drenaje - continua: 23 A
Disipación de potencia total (Tc=25°C): 150 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-220
Data Sheet:
2614
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MOSFET de potencia Canal P 23A 100V
Ideal para aplicaciones que requieren de conmutación rápida, en diseño de dispositivos de uso rudo. Brinda una baja resistencia y una excelente relación costo-efectividad.
Tipo: MOSFET Canal P
Voltaje de drenaje a fuente: 100 V
Resistencia de activación Rds: 0.117 ohm
Voltaje de impulso: 10V
Corriente de drenaje - continua: 23 A
Disipación de potencia total (Tc=25°C): 150 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-220