IRF540

Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones de administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo.

Tipo: MOSFET Canal N

Voltaje de drenaje a fuente: 100 V

Voltaje de impulso: 10V

Corriente de drenaje - continua: 22 A

Disipación de potencia total (Tc=25°C): 85 W

Temperatura de operación mínima: -55 °C

Temperatura de operación máxima: 175 °C

Encapsulado: TO-220